本發(fā)明涉及包括初級(jí)預(yù)制件(21)和圍繞所述初級(jí)預(yù)制件(21)的一個(gè)或多個(gè)精制二氧化硅系包覆層(22)的光纖預(yù)制件(20),該精制二氧化硅系包覆層(22)包括鋰和鋁并且具有滿足下述不等式(式(I))的鋰濃度[Li]與鋁濃度[Al]之間的比。1.10-3≤[Li]/[Al]≤20.10-3?(1)。
聲明:
“光纖預(yù)制件和由初級(jí)預(yù)制件制造此類(lèi)光纖預(yù)制件的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)