本發(fā)明提供了一種沉積基體，包括：碳材料薄膜；所述碳材料薄膜表面設(shè)置有納米褶皺。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明在碳材料薄膜表面設(shè)置納米褶皺，通過(guò)調(diào)控基體表面的納米結(jié)構(gòu)狀態(tài)，將金屬鋰在二維面的沉積行為轉(zhuǎn)變?yōu)樵谌S納米褶皺上沉積，通過(guò)大的比表面降低單位面積上的電流，同時(shí)納米褶皺也可作為金屬鋰沉積的位點(diǎn)，引導(dǎo)均勻的金屬鋰沉積；并且使二維平整的碳材料薄膜具有三維的、更大的比表面結(jié)合位點(diǎn)，也可引導(dǎo)高度可逆的金屬鋰沉積和溶解。