本發(fā)明公開了一種薄膜鈮酸鋰雙平行電光調(diào)制器集成
芯片,自下而上包括襯底層、掩埋氧化層、電光調(diào)制器件層和上包層;電光調(diào)制器件層由左至右依次包括輸入光波導、輸入分光耦合器、兩個并列的馬赫增德爾電光強度調(diào)制器、電極復合輸出合路耦合器和輸出光波導,其中兩個并列的馬赫增德爾調(diào)制器包括輸入分光耦合器、深刻蝕區(qū)、矩形地電極、T形地電極、矩形信號電極、T形信號電極、T形地電極、共用的矩形地電極、夾在電極間的傳輸光波導和輸出合路耦合器。通過引入雙平行電光調(diào)制結(jié)構(gòu)和T型電極結(jié)構(gòu),可以更靈活地調(diào)制光信號,提升微波光波匹配效果并降低器件的功耗。
聲明:
“薄膜鈮酸鋰雙平行電光調(diào)制器集成芯片” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)