一種利用先真空紫外光再氮等離子體兩步活化直接鍵合鈮酸鋰和硅晶片的方法，屬于晶圓鍵合技術(shù)領(lǐng)域。所述方法如下：將待鍵合的鈮酸鋰晶片和硅晶片置于真空紫外光光源下，在20~80%的濕度條件下活化；將真空紫外光活化后的晶片置于N₂等離子體下，在10~80?Pa的壓強(qiáng)下活化；將經(jīng)兩步活化后的晶片在室溫下相互貼合，并將貼合后的晶片置于大氣環(huán)境下存儲(chǔ)；將存儲(chǔ)后的晶片置于100~180°C的溫度條件下保溫，即完成鈮酸鋰和硅的直接鍵合。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：無需化學(xué)試劑對(duì)待鍵合晶片表面進(jìn)行清洗，鍵合工藝簡單，鍵合流程少；在低溫下即可實(shí)現(xiàn)二者之間穩(wěn)定可靠的高強(qiáng)度的直接鍵合，避免因二者之間巨大的熱膨脹系數(shù)差異而使得鍵合界面開裂以及鍵合材料斷裂現(xiàn)象的發(fā)生。