本發(fā)明涉及低偏振相關(guān)損耗鈮酸鋰直條波導相位調(diào)制器及其制備方法,該調(diào)制器包括鈮酸鋰光波導
芯片和分別耦合粘接在鈮酸鋰光波導芯片兩端的第一保偏尾纖組件和第二保偏尾纖組件,鈮酸鋰光波導芯片包括鈮酸鋰襯底、鈦擴散波導區(qū)、退火外擴散區(qū)和金屬電極,鈮酸鋰襯底采用x切y傳晶片,鈦擴散區(qū)域和退火外擴散區(qū)位于鈮酸鋰襯底的表層,且退火外擴散區(qū)位于鈦擴散區(qū)域的兩側(cè),金屬電極位于退火外擴散區(qū)的表面,且正負電極關(guān)于鈦擴散區(qū)域?qū)ΨQ;第一、二保偏尾纖組件均包括第一保偏光纖和第一光纖固定塊,該調(diào)制器同時實現(xiàn)器件低插入損耗和低偏振相關(guān)損耗,實現(xiàn)兩個偏振態(tài)的功率均分,有效消除調(diào)制波形失真的情況,提高電光調(diào)制精度。
聲明:
“低偏振相關(guān)損耗鈮酸鋰直條波導相位調(diào)制器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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