本發(fā)明提供鉭酸鋰單晶基板的制造方法，其即便在鉭酸鋰單晶基板的熱處理中反復(fù)使用碳酸鋰粉末，也能夠抑制由鉭酸鋰單晶基板的還原不足導(dǎo)致的體積電阻率的增加。本發(fā)明是體積電阻率為1×1010Ω?cm以上且小于1×1012Ω?cm的鉭酸鋰單晶基板的制造方法，其包括：將體積電阻率為1×1012Ω?cm以上且單晶域結(jié)構(gòu)的鉭酸鋰單晶基板填埋至BET比表面積為0.13m2/g以上的碳酸鋰粉末中，并且，在常壓下、350℃以上且居里溫度以下的溫度下進(jìn)行熱處理的工序，碳酸鋰粉末是在常壓下、350℃以上且居里溫度以下的溫度下的鉭酸鋰單晶基板的熱處理時(shí)用于填埋鉭酸鋰單晶基板的使用過的碳酸鋰粉末，進(jìn)行熱處理的工序中，開始熱處理時(shí)，在非活性氣體與還原性氣體的混合氣體氣氛中進(jìn)行熱處理，在混合氣體氣氛中進(jìn)行熱處理后，在非活性氣體的單一氣體氣氛中進(jìn)行熱處理。