一種鋁酸鋰晶片的拋光方法,包括下列步驟:將提拉法生長(zhǎng)的鋁酸鋰晶體,用內(nèi)圓切割機(jī)將其切割成一定厚度的晶片;將此晶片放入濃度為78-80%的鹽酸或者硝酸中,升溫至80-100℃,保溫15-30分鐘,取出用氮?dú)獯蹈?用大視場(chǎng)顯微鏡觀察晶片正反面腐蝕坑的情況,選擇腐蝕坑少的一面作為下一步的拋光面;將晶片的待拋光面放在膠盤上,首先選用
氧化鋁粉對(duì)其進(jìn)行粗磨,粗拋,達(dá)到表面平均粗糙度為5-10nm的晶面;對(duì)晶面進(jìn)行精拋,用pH=8-9的SiO
2拋光液,拋光時(shí)間為1-3小時(shí),獲得表面平均粗糙度為1-2nm的晶面;采用中性金剛砂液,對(duì)此晶面繼續(xù)拋光,拋光時(shí)間1.5-2.5小時(shí),可以得到表面平均粗糙度優(yōu)于0.2nm的晶面的鋁酸鋰晶片。
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