本發(fā)明公開(kāi)了一種8?羥基喹啉硼化鋰修飾的聚合物傳感器陣列的構(gòu)建方法及應(yīng)用，該方法包括以下步驟：步驟1、LiBMQ?g?SVBTC?PPV傳感基元構(gòu)筑；步驟2、毒品光電傳感陣列構(gòu)筑與性能評(píng)估；步驟3、數(shù)據(jù)分析與處理。本發(fā)明為進(jìn)一步提高氣氛毒品光電傳感材料的靈敏度，實(shí)現(xiàn)對(duì)常見(jiàn)毒品信號(hào)差異性放大，采用光電傳感檢測(cè)方法，結(jié)合表面修飾技術(shù)、傳感器陣列構(gòu)建及主成分分析技術(shù)，制備并構(gòu)建可定性識(shí)別常見(jiàn)毒品光電傳感器陣列。