電子束誘導(dǎo)沉積制備碳納米管的方法涉及納米微復(fù)合材料領(lǐng)域。本發(fā)明抽出單根半導(dǎo)體納米線，并通過(guò)電子束誘導(dǎo)沉積技術(shù)使其表面包裹一層非晶碳層，形成納米線和非晶碳層的“核殼結(jié)構(gòu)”，再對(duì)其加載偏壓，電流產(chǎn)生的焦耳熱使納米線熔化并將其驅(qū)趕出納米管，同時(shí)焦耳熱也使得非晶碳轉(zhuǎn)化成層狀多晶，最終得到單根碳納米管。本發(fā)明可以精確控制碳納米管的長(zhǎng)度、直徑和壁厚等參數(shù)，并可以即時(shí)對(duì)其形成過(guò)程進(jìn)行原位研究，為碳納米管的生長(zhǎng)機(jī)理研究提供充分的數(shù)據(jù)。由于沒(méi)有摻雜和催化劑，本發(fā)明所獲得的碳納米管純度極高。本發(fā)明也可以推廣到制備碳納米管陣列。