本發(fā)明屬于傳感器技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種抗污染場(chǎng)效應(yīng)晶體管傳感器及其制備方法。本發(fā)明場(chǎng)效應(yīng)晶體管傳感器包括:絕緣襯底;在絕緣襯底上的
石墨烯層;在石墨烯層兩端的源漏電極;在石墨烯表面生長(zhǎng)的共價(jià)有機(jī)框架材料形成的復(fù)合薄膜,作為導(dǎo)電傳感溝道層。檢測(cè)時(shí)。將場(chǎng)效應(yīng)晶體管置于測(cè)試溶液中,連接電學(xué)測(cè)試設(shè)備,向溶液中加入檢測(cè)物,實(shí)時(shí)檢測(cè)電流的變化。本發(fā)明填補(bǔ)了共價(jià)有機(jī)框架
復(fù)合材料在場(chǎng)效應(yīng)晶體管傳感器中應(yīng)用的空白。這種傳感器普適性好,反應(yīng)裝置簡(jiǎn)單,成本低,具有優(yōu)異的抗污染性能,能夠排除溶液中污染物的影響。
聲明:
“抗污染場(chǎng)效應(yīng)晶體管傳感器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)