本發(fā)明公開了一種光束成像裝置，包括：襯底層、圖形層、鈍化層和電極層，所述襯底層包括底層和表層，所述圖形層位于所述襯底層的所述表層的上方，所述圖形層包括底層和表層，所述底層為禁帶寬度不小于2.3eV，所述表層為禁帶寬度不小于2.3eV且折射率不高于所述底層；所述電極層位于所述圖形層的所述表層的上方，所述電極層包括正電極和負(fù)電極，所述正電極和所述負(fù)電極分別與所述圖形層的所述表層相接觸；所述電極層為電阻率不大于5×10^?7Ω·m且與所述圖形層的接觸勢壘不大于1.5eV的具有低電阻率和低接觸勢壘的金屬、合金或金屬/氧化物復(fù)合材料。本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)：可以實(shí)現(xiàn)低成本、低傳輸損耗、高穩(wěn)定性和高均勻性的成像過程。