本發(fā)明涉及一種三維多孔硅摻雜鈦源與碳復(fù)合的
負(fù)極材料制備方法,包括以下步驟:制備多孔硅,加入去離子水或無水乙醇、鈦源,進(jìn)行研磨,得到納米漿料;將納米混合漿料進(jìn)行噴霧干燥,得到前驅(qū)體;將前驅(qū)體焙燒、冷卻、過篩,通過CVD進(jìn)行沉積涂覆,然后在惰性氣氛下冷卻,得到三維多孔硅
復(fù)合材料。本發(fā)明解決了常規(guī)Si/C循環(huán)性能和膨脹的問題。
聲明:
“三維多孔硅摻雜鈦源與碳復(fù)合的負(fù)極材料制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)