本發(fā)明公開了一種石墨烯半導(dǎo)體制備裝置及方法，一種石墨烯半導(dǎo)體制備方法，包括以下步驟：I、提供SiC襯底，利用氫氣刻蝕；II、在氬氣氛圍下對SiC襯底片進(jìn)行升溫；III、在超高真空的環(huán)境下，形成六方蜂窩狀的石墨烯薄膜；IV：形成石墨烯半導(dǎo)體復(fù)合材料。一種石墨烯半導(dǎo)體制備裝置，包括：氫氣刻蝕模塊；C原子自組裝模塊；同質(zhì)外延成長模塊；反應(yīng)合成模塊。本發(fā)明不僅可以獲得大面積、高質(zhì)量的石墨烯，而且所獲得的石墨烯具有較好的均一性，且與當(dāng)前的集成電路技術(shù)有很好的兼容性；同時利用了半導(dǎo)體材料的優(yōu)點與石墨烯的特性，實現(xiàn)了石墨烯的制備及其與半導(dǎo)體材料復(fù)合同時進(jìn)行，具有廣泛的適用性。