本發(fā)明涉及一種氮化硅晶須增強氮化硅層狀陶瓷制備方法。使用流延法制備氮化硅晶須薄層預(yù)制體，然后使用化學(xué)氣相滲透工藝在預(yù)制體中制備氮化硅基體，得到氮化硅晶須增強氮化硅復(fù)合材料。以復(fù)合材料為基片，在其兩側(cè)重復(fù)流延和化學(xué)氣相沉積工藝，直至材料厚度達到要求。使用流延法制備的晶須預(yù)制體晶須分散均勻，增強體體積分?jǐn)?shù)高。化學(xué)氣相沉積工藝相比于燒結(jié)可以降低制備溫度，減少對增強體的傷害，且不需使用燒結(jié)助劑，減少了雜質(zhì)相的影響。同時，晶須增韌和層狀復(fù)合增韌改善了氮化硅陶瓷的韌性。本發(fā)明能夠制備出介電性能和力學(xué)性能優(yōu)異的氮化硅晶須增強氮化硅層狀陶瓷。