2O5摻雜鈮酸鹽基玻璃陶瓷材料及其制備方法與應(yīng)用,復(fù)合材料"> 2O5摻雜鈮酸鹽基玻璃陶瓷材料及其制備方法與應(yīng)用,本發(fā)明涉及一種具有低介電損耗的Ta2O5摻雜鈮酸鹽基玻璃陶瓷材料及其制備方法與應(yīng)用,制備方法包括首先以SrCO3、Na2CO3、Nb2O5、SiO2、Ta2O5為原料,依照6.4Na2CO3?25.6SrCO3?32[(1?x)Nb2O5,xTa2O5]?36SiO2的摩爾配比進(jìn)行配料混合,再經(jīng)過(guò)高溫熔化后制得高溫熔漿;之后將該高溫熔漿澆入模具成型,并經(jīng)過(guò)恒溫去除殘余應(yīng)力后,切片得到玻璃薄片;最后將該玻璃薄片進(jìn)行受控析晶,即制得上述鈮酸鹽基玻璃陶瓷材料。與">

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具有低介電損耗的Ta2O5摻雜鈮酸鹽基玻璃陶瓷材料及其制備方法與應(yīng)用

995   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:16:22
本發(fā)明涉及一種具有低介電損耗的Ta2O5摻雜鈮酸鹽基玻璃陶瓷材料及其制備方法與應(yīng)用,制備方法包括首先以SrCO3、Na2CO3、Nb2O5、SiO2、Ta2O5為原料,依照6.4Na2CO3?25.6SrCO3?32[(1?x)Nb2O5,xTa2O5]?36SiO2的摩爾配比進(jìn)行配料混合,再經(jīng)過(guò)高溫熔化后制得高溫熔漿;之后將該高溫熔漿澆入模具成型,并經(jīng)過(guò)恒溫去除殘余應(yīng)力后,切片得到玻璃薄片;最后將該玻璃薄片進(jìn)行受控析晶,即制得上述鈮酸鹽基玻璃陶瓷材料。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單,經(jīng)濟(jì)實(shí)用,所制備的玻璃陶瓷復(fù)合材料兼具高介電常數(shù)(86)、高擊穿強(qiáng)度(1984.75kV/cm)、低介電損耗(0.004)和高理論儲(chǔ)能密度(15.01J/cm3),在儲(chǔ)能電容器材料領(lǐng)域具有較好的應(yīng)用潛力。
聲明:
“具有低介電損耗的Ta2O5摻雜鈮酸鹽基玻璃陶瓷材料及其制備方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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