本發(fā)明公開了人造沸石負(fù)載CdTe量子點(diǎn)熒光材料的制備方法。方法以TeCl4為碲源、巰基乙酸為穩(wěn)定劑、NaBH4為還原劑,制備沸石負(fù)載的CdTe量子點(diǎn)發(fā)光材料。具體過程如下:(1)用乙酸和氯化鉀對(duì)人造沸石進(jìn)行前處理;(2)將處理后的沸石置于裝有CdCl2溶液的三口燒瓶中并劇烈攪拌;(3)向攪拌混合物中加入巰基乙酸,用NaOH溶液將其pH值調(diào)至11,然后依次加入NaBH4和TeCl4;(4)將三口燒瓶置于磁力攪拌加熱器中加熱回流,一定時(shí)間后,對(duì)反應(yīng)混合物進(jìn)行離心分離,取沉淀,所得沉淀用蒸餾水洗3遍后在70℃干燥箱中烘干,所得產(chǎn)品即為人造沸石負(fù)載CdTe量子點(diǎn)粉末材料。本法制備
復(fù)合材料的方法簡單、容易操作;所得到的復(fù)合材料具有優(yōu)良的發(fā)光性能。
聲明:
“人造沸石負(fù)載CdTe量子點(diǎn)熒光材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)