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半導體制造裝置用部件、其制法以及附帶有軸的加熱器

876   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:11:17
本發(fā)明涉及一種半導體制造裝置用部件、其制法以及附帶有軸的加熱器。本發(fā)明的半導體制造裝置用部件是接合于氮化鋁基部件的部件,作為材料,使用以氮化鋁和包含硅、鋁、氧以及氮的氮化鋁假多晶型為主要構(gòu)成相的復合材料。氮化鋁假多晶型具有27R相及21R相中的至少一種周期結(jié)構(gòu),或者,氮化鋁假多晶型的X射線衍射峰至少出現(xiàn)在2θ=59.8~60.8°。復合材料在室溫下的熱傳導率為50W/mK以下。
聲明:
“半導體制造裝置用部件、其制法以及附帶有軸的加熱器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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