本發(fā)明公開了一種g?C₃N₄/rGO/ZnS光催化劑的制備及在光電化學陰極保護方面的應用，其中，一種g?C₃N₄/rGO/ZnS三元復合光催化劑的制備方法，其包括，將氧化石墨烯、鋅鹽溶解，超聲分散；加入硫源，攪拌后高溫反應，清洗后干燥，得rGO/ZnS復合材料；將g?C₃N₄和所述rGO/ZnS復合材料溶解，攪拌后高溫反應，得g?C₃N₄/rGO/ZnS三元復合光催化劑；一種g?C₃N₄/rGO/ZnS光電極的制備方法，其包括：將g?C₃N₄/rGO/ZnS、粘結(jié)劑、溶劑混合，超聲后均勻涂覆于經(jīng)預處理的基材表面，自然風干后加熱干燥。本發(fā)明采用硫化鋅、氧化石墨烯對氮化碳進行半導體復合改性，能夠有效調(diào)整g?C₃N₄的能帶結(jié)構(gòu)，提升其光生空穴氧化能力、光生電子遷移能力以及增加光電化學反應活性位點。