本發(fā)明高分子PTC芯片多層復(fù)合制造方法涉及一種以導(dǎo)電高分子聚合物復(fù)合材料為主要原料的電子元器件及其制造方法,尤其是一種高分子PTC熱敏電阻器芯片結(jié)構(gòu)及其制造方法。一種高分子PTC芯片多層復(fù)合結(jié)構(gòu),包括高分子PTC材料層及復(fù)合在材料層外面的電極,其中,所述的高分子PTC材料層為二層或二層以上,在各高分子PTC材料層之間加入有銅片層。用此結(jié)構(gòu)所制得的高分子PTC熱敏電阻器芯片能有效降低恢復(fù)后的電阻漂移,使產(chǎn)品的長期性能得到提高,同時(shí)銅片層作為隔離層還可以使元件在失效時(shí)沿著銅隔離層裂開,大大降低燃燒的可能性。