本發(fā)明公開一種以微硅粉為原料制備Si/SiC@C負(fù)極材料的方法，所述方法為：將微硅粉進(jìn)行酸洗后，與鎂粉進(jìn)行球磨混料，深度還原，淺度氧化后，經(jīng)酸洗、離心和干燥得到多孔Si/SiC。將所制備的樣品在與有機(jī)物前驅(qū)體混合均勻后干燥，經(jīng)碳化得到Si/SiC@C復(fù)合材料；本發(fā)明制備的多孔硅復(fù)合材料，碳化硅和碳?xì)さ拇嬖诓粌H有效的減緩了硅在電化學(xué)循環(huán)過程中體積膨脹，也縮短了鋰離子脫嵌擴(kuò)散的距離；多孔結(jié)構(gòu)也為電化學(xué)循環(huán)過程鋰離子提供了更多的活性位點，表現(xiàn)出了優(yōu)異的電化學(xué)性能。