本發(fā)明公開了一種高致密度高純度硅碳負(fù)極材料的制備方法，涉及復(fù)合材料制備技術(shù)領(lǐng)域，負(fù)極材料包括均勻致密分布的硅、碳，所述材料密度滿足ρ1/ρ2≥95％，其中ρ1為實(shí)際測(cè)試密度，ρ2為理論密度。制備方法將碳素原料和硅原料進(jìn)行物理氣相沉積，冷卻后得到高致密度高純度硅碳負(fù)極材料，物理沉積可采用同步或交替沉積的方式進(jìn)行，利用無定形碳和氣相硅源，形成均勻致密的復(fù)合材料結(jié)構(gòu)，該材料由亞納米級(jí)硅均勻地分布在無定型碳中，這種致密結(jié)構(gòu)能提高材料的振實(shí)，且能有效緩解充放電過程中的體積效應(yīng)。同時(shí)硅顆粒為亞納米級(jí)，其自身膨脹相對(duì)納米硅較小，能進(jìn)一步提高其循環(huán)性能。