本發(fā)明公開了一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管氣體傳感器及其陣列制備方法，該場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)氣體傳感器為量子點(diǎn)修飾柵電極的柵敏FET氣體傳感器，其柵敏電極層(5)為兩層復(fù)合結(jié)構(gòu)或由復(fù)合材料構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)，其中，兩層復(fù)合結(jié)構(gòu)包括金屬薄膜層和沉積在該金屬薄膜層表面上的量子點(diǎn)層；由復(fù)合材料構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)具體是由量子點(diǎn)與金屬或類金屬材料組合的復(fù)合材料構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過對(duì)柵敏FET其內(nèi)部組成及結(jié)構(gòu)、相應(yīng)制備方法等進(jìn)行改進(jìn)，以量子點(diǎn)同時(shí)作為柵極和氣體敏感層，利用量子點(diǎn)柵敏電極對(duì)不同氣體的吸附特性來調(diào)控柵極偏壓以及溝道調(diào)制效應(yīng)，能夠得到高靈敏、低功耗和高選擇性的室溫氣體傳感器，達(dá)到檢測(cè)低濃度目標(biāo)氣體(如H₂)的效果。