本發(fā)明涉及一種高介電三相復(fù)合電介質(zhì)材料及其制備方法。本發(fā)明所提供的電介質(zhì)復(fù)合材料由聚合物基體聚偏氟乙烯PVDF和導(dǎo)電填料多壁碳納米管CNT及陶瓷填料碳化硅SiC組成。復(fù)合材料中，PVDF所占的體積百分比為77?97%，碳納米管所占體積百分比為1?9%，碳化硅所占體積百分比為1?14%。本發(fā)明通過將PVDF、CNT、SiC粉末和溶劑DMF混合，磁力攪拌12±0.1h，將所得前驅(qū)體溶液在玻璃板上涂膜后，于80±1°C干燥6±0.1h，得到固體復(fù)合薄膜。所得薄膜在冶煉機(jī)內(nèi)熔融共混以進(jìn)一步提高納米粒子分散性，控制混煉溫度200±1°C，轉(zhuǎn)速20?rpm，混煉時(shí)間30分鐘。所得熔體在室溫下注射成型制備良好分散的電介質(zhì)復(fù)合材料。與PVDF/CNT兩相復(fù)合材料相比，本發(fā)明所提供的三相復(fù)合材料具有更加優(yōu)異的介電性能。