本發(fā)明提供了一種ZnO基復合材料及其制備方法和QLED器件，屬于光電材料技術(shù)領域。本發(fā)明提供的ZnO基復合層材料的電阻高于ZnO，降低了電子傳輸層的電子遷移率，減小了電子注入與傳輸?shù)男剩行д{(diào)控了ZnO層的電子注入能力；其中，胺基修飾的SiO2包覆層的NH2?封端可在發(fā)光層/電子傳輸層的界面形成偶極層，構(gòu)成界面間的逆向電場，改變電子注入的方式，進一步調(diào)控了界面的電子傳輸，使QLED的電荷注入趨近完全平衡，降低了由于載流子注入不平衡引起的非輻射復合；SiO2殼層隔絕了ZnO與量子點的直接接觸，有效削弱了ZnO表面的缺陷態(tài)對量子點的熒光猝滅，最終提高了QLED器件的外量子效率和使用壽命。