本發(fā)明公開了一種C/C復(fù)合材料表面制備SiC納米線和納米帶的方法，將打磨拋光干燥后的C/C復(fù)合材料置于沉積爐中，低壓2kPa下通電升溫至預(yù)定溫度后，向裝有甲基三氯硅烷的鼓泡瓶中通入載氣氫氣，將反應(yīng)氣源帶入爐堂內(nèi)進(jìn)行反應(yīng)。沉積結(jié)束后隨爐冷卻至室溫，即可得到大量高純SiC納米線和納米帶；本發(fā)明SiC納米線和納米帶合成工藝簡(jiǎn)單，不需要預(yù)先合成工藝；沉積溫度較低，降低了能耗和制備成本；制備的SiC納米線和納米帶純度較高；可通過工藝參數(shù)的調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)SiC納米線和納米帶的可控生長(zhǎng)，易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)生產(chǎn)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中SiC納米線和納米帶制備工藝較為復(fù)雜、合成溫度高、能耗大、成本高、產(chǎn)物難以控制的問題。