發(fā)明涉及半導體
復合材料技術領域,特別涉及一種貴金屬摻雜的半導體復合材料的制備方法。其步驟包括:將平面導電材準備;在非離子型高分子化合物中加入無水乙醇,攪拌,溶液中通氧10?20分鐘;溶液中加入金屬氯化物,攪拌溶解;加入貴金屬化合物溶液和非離子型表面活性劑,攪拌并緩慢加入堿性溶劑和水,形成溶膠;制備好的溶膠滴平面導電材料上,旋涂,使其表面覆蓋;然后300?600℃煅燒1?3小時,冷卻、水洗、吹干即可。該表現(xiàn)出極好的表面性質(zhì),薄膜均勻致密且穩(wěn)定性良好,便于進行下一步材料的組裝。
聲明:
“貴金屬摻雜的半導體復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)