本發(fā)明屬于有機(jī)?無機(jī)雜化半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24雜化復(fù)合材料及其制備方法；本發(fā)明中反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24雜化復(fù)合材料的形貌為納米立方體構(gòu)成的薄膜結(jié)構(gòu)，由Ga3+和In3+離子聯(lián)合調(diào)控能級形成反型Cs2SnI6結(jié)構(gòu)，晶型為面心立方結(jié)構(gòu)，表面形貌為納米立方體且表面分布有中空結(jié)構(gòu)；本發(fā)明制備得雜化薄膜表面均一、致密，同時具有良好晶體學(xué)特性和光電性能，在太陽能光伏器件、發(fā)光二極管、傳感器等領(lǐng)域具備良好的應(yīng)用前景；并且，其制備方法無需高溫煅燒，生產(chǎn)工藝簡單、生產(chǎn)效率好、合成成本低且環(huán)保節(jié)能，適合大規(guī)模工業(yè)化制造。