本發(fā)明提供一種同軸三層納米管陣列
復(fù)合材料,包括二氧化鈦或氮化鈦納米管陣列骨架、骨架外壁面聚合沉積而成的聚吡咯納米管及骨架內(nèi)壁面聚合沉積而成的聚苯胺納米管。還提供了上述同軸三層納米管陣列復(fù)合材料的制備方法及其
電化學(xué)儲能應(yīng)用。該復(fù)合材料以二氧化鈦或氮化鈦納米管為骨架制得,骨架具有的中空結(jié)構(gòu)以及均勻管間距可以吸收導(dǎo)電聚合物充放電時(shí)引起的體積收縮和膨脹,增強(qiáng)電極材料的循環(huán)壽命;多空隙中空管狀結(jié)構(gòu)使得聚苯胺和聚吡咯與摻雜劑電解質(zhì)充分接觸,有利于離子擴(kuò)散與電荷轉(zhuǎn)移;復(fù)合物材料同時(shí)包含p型摻雜特性聚吡咯與n型摻雜特性聚苯胺,充分利用溶液中陰、陽離子,從而獲得高比電容、循環(huán)穩(wěn)定性好的超級電容器電極材料。
聲明:
“聚吡咯-二氧化鈦或氮化鈦-聚苯胺同軸三層納米管陣列復(fù)合材料及其制備方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)