本發(fā)明公開了一種提升石墨烯片?碳納米管陣列復(fù)合材料場發(fā)射性能的方法，屬于納米材料的制備和應(yīng)用領(lǐng)域。包括以下制備工藝：(1)利用銀離子轟擊預(yù)處理硅單晶片；(2)利用熱化學(xué)氣相沉積法制備碳納米管陣列并對其進行高溫退火處理；(3)利用微波等離子體增強化學(xué)氣相沉積法在碳納米管陣列上制備薄層石墨烯片；(4)對所得石墨烯片?碳納米管陣列在室溫下進行氮、氫等離子體處理。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本方法所制備的氮摻雜石墨烯片?碳納米管陣列復(fù)合材料具有極低的工作電場、極高的電流密度和在大電流密度下具有良好的場發(fā)射穩(wěn)定性，有很高的應(yīng)用價值。