本發(fā)明涉及中空核殼結(jié)構(gòu)導(dǎo)電聚合物與金屬有機(jī)骨架的
復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供的生長(zhǎng)在碳布上的PANI/ZnO@ZIF?8復(fù)合材料,制備方法產(chǎn)物純度高、分散性好且可控制,工藝步驟簡(jiǎn)單,易于操作。所制得的中空核殼結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電聚合物與金屬有機(jī)骨架復(fù)合材料生長(zhǎng)在碳布上,可直接作為柔性超級(jí)電容器的電極材料,具有優(yōu)異的
電化學(xué)性能,面積比電容高達(dá)4839mF?cm
?2,可應(yīng)用在高穩(wěn)定性,可穿戴電子器件等場(chǎng)合。
聲明:
“中空核殼結(jié)構(gòu)導(dǎo)電聚合物與金屬有機(jī)骨架的復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)