本發(fā)明公開(kāi)了一種GaN微米棒陣列/石墨烯場(chǎng)發(fā)射陰極復(fù)合材料制備方法，具體步驟如下：步驟1，對(duì)硅襯底鍍鉑薄膜，然后將鍍過(guò)鉑薄膜的硅襯底進(jìn)行退火處理，退火結(jié)束后自然冷卻到室溫，得到襯底A；步驟2，將步驟1得到的襯底A與反應(yīng)源一起進(jìn)行熱處理，襯底A與反應(yīng)源之間保持一定距離，反應(yīng)完成后自然冷卻到室溫，得到襯底B；步驟3，將步驟2得到的襯底B進(jìn)行熱處理，反應(yīng)完成后自然降溫至室溫，即得GaN微米棒陣列/石墨烯場(chǎng)發(fā)射陰極復(fù)合材料。通過(guò)該方法制備得到的GaN微米棒陣列/石墨烯場(chǎng)發(fā)射陰極復(fù)合材料具有優(yōu)良的場(chǎng)發(fā)射特性。