一種層狀梯度石墨膜/鋁復合材料的制備方法，本發(fā)明涉及一種層狀梯度石墨膜/鋁復合材料的制備方法。本發(fā)明的目的是為了解決金屬基復合材料作為電子封裝基片，基片熱膨脹系數(shù)的單一性與不可設計性，從而導致芯片熱應力無法緩解、壽命降低的問題。本發(fā)明的制備方法為：一、預處理石墨膜與鋁箔；二、制備預制體；三、放電等離子燒結方法氣氛保護燒結。本發(fā)明采用兩種或兩種以上不同石墨體積分數(shù)的預制塊堆垛在一起，然后進行預制體制備并進行燒結，使得材料在垂直于片層方向，熱膨脹系數(shù)呈現(xiàn)梯度變化。梯度變化能夠有效的緩解芯片熱應力，提高芯片使用壽命。本發(fā)明應用于電子封裝基片領域。