本發(fā)明涉及
電化學(xué)脫鹽技術(shù)領(lǐng)域,為解決傳統(tǒng)含Bi的CDI電極材料在電容去離子中脫鹽量、倍率性能和循環(huán)穩(wěn)定性較低的問題,提供了一種Bi/MOF衍生多孔碳球
復(fù)合材料及其制備方法、應(yīng)用,所述Bi/MOF衍生多孔碳球復(fù)合材料由N摻雜MOF衍生多孔碳球表面負(fù)載納米級(jí)金屬Bi顆粒制得。本發(fā)明的Bi/MOF衍生多孔碳球復(fù)合材料通過MOF衍生碳上錨定納米級(jí)別的金屬Bi顆粒,可以有效的緩解在氧化還原過程中的Bi的體積膨脹問題,增強(qiáng)了電極材料的穩(wěn)定性,并減輕了電極粉化現(xiàn)象;制備過程簡(jiǎn)易,原料來(lái)源廣泛,價(jià)格低廉,生產(chǎn)成本低,易于產(chǎn)業(yè)化。
聲明:
“Bi/MOF衍生多孔碳球復(fù)合材料及其制備方法、應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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