9S8負(fù)載MoS2復(fù)合材料的制法和應(yīng)用,復(fù)合材料"> 9S8負(fù)載MoS2復(fù)合材料的制法和應(yīng)用,本發(fā)明涉及超級(jí)電容器技術(shù)領(lǐng)域,且公開(kāi)了一種Zn摻雜Co9S8負(fù)載MoS2復(fù)合材料,具有較大的比電容和較好的循環(huán)穩(wěn)定性,這得益于復(fù)合材料獨(dú)特的結(jié)構(gòu)特征,Zn摻雜Co9S8負(fù)載MoS2復(fù)合材料保持了三維MoS2的花球狀結(jié)構(gòu),具有更高的比表面積,為Co9S8納米花顆粒在花球狀微米MoS2內(nèi)部沉積生長(zhǎng),提供了骨架結(jié)構(gòu),并阻止了Co9S8納米花顆粒在充放電過(guò)程中的結(jié)構(gòu)的變化,而且納米花狀結(jié)構(gòu)提高了Co9S8顆粒的比表面積,有利于電解質(zhì)離子和電子的運(yùn)移和擴(kuò)散,提供贗電">

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Zn摻雜Co9S8負(fù)載MoS2復(fù)合材料的制法和應(yīng)用

947   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:54:01
本發(fā)明涉及超級(jí)電容器技術(shù)領(lǐng)域,且公開(kāi)了一種Zn摻雜Co9S8負(fù)載MoS2復(fù)合材料,具有較大的比電容和較好的循環(huán)穩(wěn)定性,這得益于復(fù)合材料獨(dú)特的結(jié)構(gòu)特征,Zn摻雜Co9S8負(fù)載MoS2復(fù)合材料保持了三維MoS2的花球狀結(jié)構(gòu),具有更高的比表面積,為Co9S8納米花顆粒在花球狀微米MoS2內(nèi)部沉積生長(zhǎng),提供了骨架結(jié)構(gòu),并阻止了Co9S8納米花顆粒在充放電過(guò)程中的結(jié)構(gòu)的變化,而且納米花狀結(jié)構(gòu)提高了Co9S8顆粒的比表面積,有利于電解質(zhì)離子和電子的運(yùn)移和擴(kuò)散,提供贗電容,增大比電容,而且防止了充放電過(guò)程中花狀MoS2的變形,使電極材料具有良好的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,從而減少了電容量損耗,提高了超級(jí)電容器的電化學(xué)循環(huán)穩(wěn)定性。
聲明:
“Zn摻雜Co9S8負(fù)載MoS2復(fù)合材料的制法和應(yīng)用” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)
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