本發(fā)明涉及一種電子封裝用多層累積SiC顆粒增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料的真空壓力浸滲制備工藝，所述材料主要按照以下工藝實(shí)現(xiàn)制備。步驟一：SiC預(yù)制體的制備。首先通過控制造孔劑的含量制備SiCp含量為Avol％、Bvol％、Cvol％及Dvol％的預(yù)制體坯料。其次將四個(gè)不同體積分?jǐn)?shù)的預(yù)制體坯料在模具中拼裝并進(jìn)一步壓制成形為多層累積預(yù)制體坯料。然后將多層累積預(yù)制體坯料燒結(jié)成增強(qiáng)體體積分?jǐn)?shù)不同的多孔預(yù)制體。步驟二：將燒結(jié)好的多層累積預(yù)制體坯料和鎂合金一起放入真空壓力浸滲裝置中制備成多層累積鎂基復(fù)合材料。步驟三：對制備好的多層累積鎂基復(fù)合材料進(jìn)行定向凝固以消除鑄造缺陷。