本發(fā)明公開了一種三維碳微陣列與水滑石
復合材料的制備方法及其作為無酶傳感器的應(yīng)用。本發(fā)明的技術(shù)方案是:以硅片為基底,在其表面采用光刻方法制備出光刻膠微陣列,經(jīng)高溫碳化后得到三維碳微陣列,然后在其表面沉積AlOOH薄層,最后置于水熱釜中原位生長出水滑石薄層,即得到三維碳微陣列與水滑石復合材料。具有良好生物相容性的碳微陣列,形成一個個微型的集流體,其表面密布的水滑石薄層,提供了大比表面積的電催化活性位點,使復合材料適宜于用做無酶傳感器工作電極。此外本發(fā)明的復合電極,可批量生產(chǎn),并且固定有碳微陣列的硅片電極可以切割成多個電極使用,極大降低了傳感器工作電極的生產(chǎn)成本,并具有良好的操作穩(wěn)定性及儲存穩(wěn)定性。
聲明:
“三維碳微陣列與水滑石復合材料的制備方法及其作為無酶傳感器的應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)