本發(fā)明公開了一種鎳納米顆粒/硅納米線磁性
復(fù)合材料的制備方法,該方法是在硅片上生長(zhǎng)硅納米線,再在硅納米線上沉積鎳納米顆粒,得到鎳納米顆粒/硅納米線磁性復(fù)合材料,該材料鎳納米顆粒為大小均勻球狀納米顆粒,直徑為35~40nm;單分散在直徑為20~300nm、長(zhǎng)度為70~75μm的硅納米線表面,相對(duì)獨(dú)立,互無(wú)干擾;具有高阻塞溫度(370K),高矯頑力和低飽和磁化強(qiáng)度等磁性特征(5K時(shí),飽和磁化強(qiáng)度為4.5emu/g,矯頑力為375.3Oe;400K時(shí),飽和磁化強(qiáng)度為2.6emu/g,矯頑力為33.3Oe)。本發(fā)明具有制備方法簡(jiǎn)單,成本低,高重復(fù)性,制備環(huán)境要求低,適用于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。本發(fā)明制備的鎳納米顆粒/硅納米線磁性復(fù)合材料可應(yīng)用于磁性
納米材料、納米磁存儲(chǔ)等諸多領(lǐng)域。
聲明:
“鎳納米顆粒/硅納米線磁性復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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