本發(fā)明公開(kāi)了一種電子封裝用定向多孔SiC-Cu復(fù)合材料及制備方法，該復(fù)合材料按體積分?jǐn)?shù)計(jì)，由55～70％的SiC增強(qiáng)相和30～45％的Cu基質(zhì)相組成，基質(zhì)相和增強(qiáng)相是相互連續(xù)的；其制備方法采用真空溶膠-凝膠浸漬工藝結(jié)合氫氣還原法在定向多孔SiC陶瓷內(nèi)表面涂覆均勻連續(xù)的金屬鎢層，解決了SiC與Cu之間的潤(rùn)濕性問(wèn)題，不僅使自發(fā)熔滲易于進(jìn)行，而且能充分發(fā)揮Cu的高導(dǎo)熱優(yōu)勢(shì)，明顯改善復(fù)合材料的熱物理性能。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單、成本低、能制備各種復(fù)雜形狀的復(fù)合材料。