本發(fā)明涉及一種氧化鈰納米棒陣列/石墨烯復(fù)合材料的制備方法及其在光陰極保護(hù)中的應(yīng)用，本發(fā)明以導(dǎo)電基質(zhì)為襯底，通過電沉積法在襯底上生長CeO₂納米棒陣列。然后以SnCl₂乙醇溶液活化CeO₂納米棒陣列，將Sn²⁺沉積于CeO₂納米棒陣列上，浸入GO溶液中，通過Sn²⁺將GO還原成rGO，同時Sn²⁺與rGO靜電吸附，使得CeO₂納米棒陣列連接在石墨烯上片，構(gòu)建氧化鈰納米棒陣列/石墨烯復(fù)合材料。氧化鈰納米棒陣列結(jié)構(gòu)不僅能夠提高光吸收率，在光照下能有效促進(jìn)電子?空穴的分離和載流子的定向傳輸效率，將片狀材料的物理阻隔和傳統(tǒng)光陰極防腐相結(jié)合，發(fā)揮了兩者的協(xié)同作用，進(jìn)一步提高了防腐性能。