本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及低介電常數(shù)的籠型聚倍半硅氧烷/環(huán)氧樹脂納米復(fù)合材料及其制備方法。本發(fā)明所述的低介電常數(shù)的籠型聚倍半硅氧烷/環(huán)氧樹脂納米復(fù)合材料由改性環(huán)氧樹脂、籠型聚倍半硅氧烷和光引發(fā)劑制備而成；所述改性環(huán)氧樹脂均是開環(huán)改性后投入使用，在環(huán)氧樹脂鏈上引入雙鍵，雙鍵的活性較高，可發(fā)生自由聚合，固化速度快，固化溫度低，可在室溫下通過光固化的方式固化成型，所以本發(fā)明制備的籠型聚倍半硅氧烷/環(huán)氧樹脂納米復(fù)合材料更適合作為芯片和電路板的粘結(jié)封裝材料。