一種基于硒化銅納米管或硒化銅/硫化鉍納米管
復合材料的寬光譜探測器及其制備方法,屬于光電探測器件及其制備領(lǐng)域。本發(fā)明所述的硒化銅/硫化鉍納米管復合材料是由Cu3Se2納米管和Bi2S3納米片構(gòu)成,所述方法為:利用室溫溶液法合成Se納米線;將所制備的Se納米線作為模板和反應Se源,獲得Se@Cu2Se納米結(jié)構(gòu);通過退火處理得到Cu3Se2納米管;室溫下,通過溶液合成法在Cu3Se2納米管表面生長Bi2S3納米片,制備出同軸核殼結(jié)構(gòu)Cu3Se2/Bi2S3納米管復合材料;制作器件。本發(fā)明主要利用簡單、易實現(xiàn)的室溫溶液法合成了Cu3Se2納米管和同軸核殼結(jié)構(gòu)Cu3Se2/Bi2S3納米管復合材料,并進一步制備了具有自供能特性的光電探測器件,成本低、易操作、無污染,適用于大規(guī)模生產(chǎn),具有很高的應用價值和前景。
聲明:
“基于硒化銅納米管或硒化銅/硫化鉍納米管復合材料的寬光譜探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)