本發(fā)明公開了一種低填料含量場敏感型非線性導(dǎo)電復(fù)合材料薄膜及其制備方法，本發(fā)明以具有高長徑比的SiC納米線為填料，二胺和二酐為單體，制備SiC納米線/聚酰亞胺復(fù)合材料薄膜，且SiC納米線在復(fù)合材料中的體積分?jǐn)?shù)僅為1％?3％。本方法工藝簡單，適合大量制備，所制得的低填充比復(fù)合材料薄膜具有良好的非線性電導(dǎo)特性，電導(dǎo)率可以自發(fā)隨電場強(qiáng)度變化而調(diào)控，同時(shí)對(duì)聚酰亞胺基體的力學(xué)性能沒有劣化影響，可作為深層介質(zhì)充電防護(hù)材料用于航天器等領(lǐng)域。