本發(fā)明公開(kāi)了一種具有選擇性探測(cè)功能的自供電人造光電突觸及其制備方法，順序地在SiO2/Si襯底上生長(zhǎng)一層聚合物介電層和兩層不同的超薄半導(dǎo)體光響應(yīng)層，其中上層超薄半導(dǎo)體光響應(yīng)功能層半覆蓋在下層超薄半導(dǎo)體光響應(yīng)層上形成非對(duì)稱異質(zhì)結(jié)，然后利用非侵入性金膜轉(zhuǎn)移工藝將金膜分別轉(zhuǎn)移到下層和上層半導(dǎo)體光響應(yīng)功能層上作為源極和漏極，完成具有選擇性探測(cè)功能的自供電人造光電突觸的制備。本發(fā)明的具有選擇性探測(cè)功能的自供電光電突觸通過(guò)耦合光伏效應(yīng)和界面電荷捕獲行為，可以實(shí)現(xiàn)在不加任何電壓的情況下選擇性地探測(cè)并處理紫外光，同時(shí)在加電壓的情況下具有寬譜探測(cè)的能力，可以模擬視網(wǎng)膜的感知以及信號(hào)處理功能。