本發(fā)明揭示了一種內(nèi)嵌浮空N+區(qū)的LIGBT型ESD防護(hù)器件，ESD防護(hù)器件包括硅襯底，在硅襯底上設(shè)有埋氧層，埋氧層上設(shè)有漂移區(qū)，漂移區(qū)的左上方為漏極區(qū)，右上方為源極區(qū)；漂移區(qū)內(nèi)中間引入浮空N+電荷區(qū)，在N?buffer區(qū)中為漏極重?fù)诫sP+區(qū)；在P?body區(qū)中為源極重?fù)诫sN+區(qū)，重?fù)诫sP+區(qū)。本發(fā)明可解決現(xiàn)有技術(shù)中普遍存在的觸發(fā)電壓過高、維持電壓過低、抗閂鎖能力不足的技術(shù)問題，設(shè)計(jì)了一種內(nèi)嵌浮空N+區(qū)的LIGBT型ESD防護(hù)器件，由于浮空重?fù)诫sN+電荷區(qū)的存在，觸發(fā)時器件擊穿結(jié)P?body/N?epi結(jié)冶金結(jié)處電場分布得到調(diào)制，更易發(fā)生雪崩擊穿，因此降低了觸發(fā)電壓。