本發(fā)明公開了一種應用于NVM芯片的失效位圖分析方法，該方法從芯片外部由具有位圖分析功能的測試儀輸入HV信號，測試芯片的擦除、編程、讀取功能，用位圖分析方法進行分析，存儲單元陣列中，缺陷附近的行或列在位圖中表現(xiàn)為讀取錯誤，遠離缺陷的行或列在位圖中表現(xiàn)為讀取正確，根據(jù)位圖反映的缺陷特征信息分析失效機理和定位失效位置。本發(fā)明通過改進常規(guī)的失效位圖分析方法，將HV信號由芯片內(nèi)部Pump電路模塊產(chǎn)生改為由芯片外部測試儀輸入，從而在NVM存儲陣列全部存儲單元Read失效的情況下，得到了失效芯片的具有缺陷特征的位圖信息，不僅突破了常規(guī)位圖分析方法的限制，而且大大提高了位圖分析定位的有效性和適用范圍。