本發(fā)明提供一種用于失效分析的測試結(jié)構(gòu)，包括測試單元結(jié)構(gòu)且依次堆疊的第N至第N+m個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層；第N個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層的引線端部設(shè)有通孔接觸點(diǎn)；第N+1至第N+m個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層的引線端部設(shè)有金屬塊，第N個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層的通孔接觸點(diǎn)通過通孔與第N+1個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層的金屬塊接觸；第N+1至第N+(m?1)個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層的引線端部的金屬塊分別通過各自上方層間介質(zhì)層中的通孔連接至各自上方相鄰的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)層的金屬塊。本發(fā)明在現(xiàn)有的測試結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，兼顧失效分析的需求，通過在引線上添加通孔及方塊金屬將每個(gè)測試單元結(jié)構(gòu)連接到外圍電路的引線端引到樣品表面，提高研磨效率和研磨成功率，從而滿足最初始的電性分析，提高失效分析成功率和分析效率。