本發(fā)明公開(kāi)了一種碲鎘汞紅外焦平面探測(cè)器的失效分析方法。先將碲鎘汞紅外焦平面探測(cè)器中的碲鎘汞紅外光敏芯片與讀出電路用切割的方式進(jìn)行分離，通過(guò)寶石電極基板對(duì)碲鎘汞紅外光敏芯片進(jìn)行電流電壓測(cè)試；保護(hù)不需要觀測(cè)的結(jié)構(gòu)，對(duì)碲鎘汞紅外焦平面探測(cè)器的襯底去除后露出碲鎘汞表面，用配制的腐蝕液逐層腐蝕碲鎘汞，觀察碲鎘汞結(jié)區(qū)、鈍化層及倒焊等界面，與焦平面測(cè)試結(jié)果和電流電壓測(cè)試結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，獲取器件失效的工藝原因。采用該方法可以對(duì)成型后的碲鎘汞紅外焦平面探測(cè)器的性能失效進(jìn)行逆向工藝分析，對(duì)碲鎘汞進(jìn)行逐層腐蝕逐層觀測(cè)，定位失效的工藝原因，從而改進(jìn)工藝，進(jìn)一步提高器件的成品率。