本發(fā)明屬于標(biāo)記中子束無損檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種用于標(biāo)記中子束無損檢測(cè)的移動(dòng)式D?T中子發(fā)生器,包括通過加速管(6)連接的高頻離子源系統(tǒng)(5)和真空系統(tǒng)及測(cè)量單元(7),設(shè)置在真空系統(tǒng)及測(cè)量單元(7)上的關(guān)聯(lián)束靶系統(tǒng)(8),由高頻離子源系統(tǒng)(5)產(chǎn)生并引出的D+離子束通過加速管(6)加速后轟擊關(guān)聯(lián)束靶系統(tǒng)(8)中的氚靶(68),通過D?T反應(yīng)產(chǎn)生14MeV的中子,關(guān)聯(lián)束靶系統(tǒng)(8)同時(shí)對(duì)中子的產(chǎn)生時(shí)間和位置的測(cè)量,實(shí)現(xiàn)對(duì)中子的出射時(shí)間和方向的標(biāo)定;還包括控制高頻離子源系統(tǒng)(5)和加速管(6)的控制系統(tǒng)。本發(fā)明是可適用于關(guān)聯(lián)束中子照相應(yīng)用的便攜式D?T中子發(fā)生器。
聲明:
“用于標(biāo)記中子束無損檢測(cè)的移動(dòng)式D-T中子發(fā)生器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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