本發(fā)明公開了一種低應(yīng)力鈍化的臺面型延伸波長銦鎵砷探測器制備方法，其結(jié)構(gòu)為：在半絕緣InP襯底上，依次生長N⁺型InP層，組分漸變的N⁺型In_xAl_1?xAs緩沖層，In_xGa_1?xAs吸收層，P⁺型In_xAl_1?xAs帽層，氮化硅SiN_x鈍化膜，P電極，加厚電極。鈍化膜為感應(yīng)耦合等離子體化學氣相沉積技術(shù)生長低應(yīng)力氮化硅鈍化膜。本發(fā)明的優(yōu)點在于：采用低應(yīng)力的氮化硅薄膜鈍化，控制大面陣探測器芯片的翹曲度<10μm，有利于實現(xiàn)低盲元率的焦平面器件；低應(yīng)力氮化硅鈍化膜的可靠性高；低應(yīng)力氮化硅鈍化膜的表面?zhèn)让驸g化效果好。