本發(fā)明公開了一種紫外探測器及其制備方法,該紫外探測器的制備方法包括清洗鈦片、
電化學腐蝕鈦片預處理、生長p型GaN納米陣列、電化學腐蝕制備TiO
2和蒸鍍電極,該紫外探測器具有較高比容的GaN和TiO
2,生成異質(zhì)結電場,可實現(xiàn)對光生電子/空穴的快速分離。本發(fā)明得到的紫外探測器具有較高的暗光電流比,同時具有自驅(qū)動和高響應速度等特點。
聲明:
“紫外探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)